РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IGP03N120H2XKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82152

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 9.6A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 9.9A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A 
Power - Max 62.5W 
Switching Energy 290µJ 
Input Type Standard 
Gate Charge 22nC 
Td (on/off) @ 25°C 9.2ns/281ns 
Test Condition 800V, 3A, 82 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package PG-TO220-3 

Описание

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 - IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO220-3

IGBT транзисторы IGP03N120H2XKSA1

Datasheet IGP03N120H2XKSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
IGP03N120H2XKSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.