РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IHW25N120R2FKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 79192
441.66 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 25A 
Power - Max 365W 
Switching Energy 1.59mJ 
Input Type Standard 
Gate Charge 60.7nC 
Td (on/off) @ 25°C -/324ns 
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package PG-TO247-3 

Описание

IGBT 1200V 50A 365W TO247-3 - IGBT NPT 1200V 50A 365W Through Hole PG-TO247-3

IGBT транзисторы IHW25N120R2FKSA1

Datasheet IHW25N120R2FKSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 171 шт.
Мин. кол-воЦена
441.66 р. 
10 396.98 р. 
100 325.30 р. 
500 276.92 р. 
1,000 233.55 р. 
IHW25N120R2FKSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.