РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IKA03N120H2XKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82170

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 8.2A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 9A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A 
Power - Max 29W 
Switching Energy 290µJ 
Input Type Standard 
Gate Charge 8.6nC 
Td (on/off) @ 25°C 9.2ns/281ns 
Test Condition 800V, 3A, 82 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 52ns 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package PG-TO220-3 

Описание

IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3 - IGBT 1200V 8.2A 29W Through Hole PG-TO220-3

IGBT транзисторы IKA03N120H2XKSA1

Datasheet IKA03N120H2XKSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
IKA03N120H2XKSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.