| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 652W |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 235nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/296ns |
| Test Condition | 600V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 255ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
IGBT 1200V 100A TO247-4 - IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-4
IGBT транзисторы IKY50N120CH3XKSA1
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 923.60 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.