РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IPB021N06N3GATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131804

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 196µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 30V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 250W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 100A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TO263-2 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 - N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2

Транзисторы полевые IPB021N06N3GATMA1

Datasheet IPB021N06N3GATMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
IPB021N06N3GATMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.