| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 140A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 141µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 30V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 - N-Channel 60V 140A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Транзисторы полевые IPB023N06N3GATMA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.