| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 75V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 - N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Транзисторы полевые IPB065N15N3GE8187ATMA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.