РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IPB160N04S2L03ATMA2

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 135804

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TO263-7-3 
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 

Описание

MOSFET N-CH TO262-7 - N-Channel 40V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

Транзисторы полевые IPB160N04S2L03ATMA2

Datasheet IPB160N04S2L03ATMA2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
IPB160N04S2L03ATMA2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.