РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IPD180N10N3GBTMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 133741

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 71W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 33A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-TO252-3 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 - N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Транзисторы полевые IPD180N10N3GBTMA1

Datasheet IPD180N10N3GBTMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
IPD180N10N3GBTMA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.