| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 - N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Транзисторы полевые IPI057N08N3 G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.