| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3 - N-Channel 85V 53A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Транзисторы полевые IPI16CNE8N G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.