Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | CoolMOS™ |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2540pF @ 100V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 14A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 - N-Channel 550V 23A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Транзисторы полевые IPI50R140CP
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.