| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 725 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Thin-Pak (8x8) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
MOSFET N-CH 4VSON - N-Channel 650V 5.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8)
Транзисторы полевые IPL65R725CFDAUMA1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.