РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IPW60R080P7XKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 99782
683.40 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series CoolMOS™ P7 
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 590µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 400V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 129W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 11.8A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package PG-TO247-3 
Package / Case TO-247-3 

Описание

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 - N-Channel 600V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Транзисторы полевые IPW60R080P7XKSA1

Datasheet IPW60R080P7XKSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 158 шт.
Мин. кол-воЦена
683.40 р. 
10 610.47 р. 
100 500.58 р. 
500 405.34 р. 
1,000 341.85 р. 
IPW60R080P7XKSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.