| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 16A, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET P-CH 150V 27A D2-PAK - P-Channel 150V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые IRF6218SPBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.