| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | FETKY™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 - P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Транзисторы полевые IRF7526D1PBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.