| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 - N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Транзисторы полевые IRF7601PBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.