РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRF7665S2TR1PBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131261

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 25µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 8.9A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DIRECTFET SB 
Package / Case DirectFET™ Isometric SB 

Описание

MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB - N-Channel 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB

Транзисторы полевые IRF7665S2TR1PBF

Datasheet IRF7665S2TR1PBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
IRF7665S2TR1PBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.