РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRF7805ZGTRPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 130161

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series HEXFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 16A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC - N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые IRF7805ZGTRPBF

Datasheet IRF7805ZGTRPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
IRF7805ZGTRPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.