| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC - N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые IRF7807ATRPBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.