РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRF8327STR1PBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 134695

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 60A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 14A, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DIRECTFET™ SQ 
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ 

Описание

MOSFET N-CH 30V 14A SQ - N-Channel 30V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

Транзисторы полевые IRF8327STR1PBF

Datasheet IRF8327STR1PBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
IRF8327STR1PBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.