| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 230V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5510pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 28A, 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB - N-Channel 230V 56A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые IRFB4233PBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.