| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7330pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB - N-Channel 40V 195A (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые IRFB7437GPBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.