РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRFH4210TRPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 134442

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series HEXFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4812pF @ 13V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 mOhm @ 50A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PQFN (5x6) 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN - N-Channel 25V 45A (Ta) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

Транзисторы полевые IRFH4210TRPBF

Datasheet IRFH4210TRPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
IRFH4210TRPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.