РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRFH5007TR2PBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 131917

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series HEXFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 100A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 50A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PQFN (5x6) 
Package / Case 8-PowerVDFN 

Описание

MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN - N-Channel 75V 17A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)

Транзисторы полевые IRFH5007TR2PBF

Datasheet IRFH5007TR2PBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
IRFH5007TR2PBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.