Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | HEXFET® |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 71A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2474pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 105W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 43A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN - N-Channel 75V 13A (Ta), 71A (Tc) 3.6W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Транзисторы полевые IRFH5207TR2PBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.