Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 770mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 390mA, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223-4 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223 - N-Channel 200V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Транзисторы полевые IRFM210BTF_FP001
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.