| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK - P-Channel 150V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые IRFR6215CPBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.