| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK - N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые IRFS23N20DTRRP
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.