| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 16 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 9 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 60 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BC20FDPBF, TO-220AB - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG4BC20FDPBF, TO-220AB
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 207.68 р. |
| 10 | 150.66 р. |
| 50 | 123.00 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.