| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BC20SDPBF, IGBT 600В 10А 1кГц TO220AB - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG4BC20SDPBF, IGBT 600В 10А 1кГц TO220AB
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 154.82 р. |
| 24 | 121.21 р. |
| 240 | 109.11 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.