| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 11 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 5 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.17 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 20 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 60 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BH20K-LPBF, IGBT 1200В 5А 4-20кГц TO262 - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG4BH20K-LPBF, IGBT 1200В 5А 4-20кГц TO262
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 207.68 р. |
| 22 | 141.98 р. |
| 220 | 131.97 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.