| Максимальное напряжение кэ ,В | 900 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 51 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 100 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4PF50WD-201P - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG4PF50WD-201P
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 623.04 р. |
| 6 | 521.09 р. |
| 60 | 483.80 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.