РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG4PF50WD-201P

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 81933

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V 
Current - Collector (Ic) (Max) 51A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 204A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 160nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/110ns 
Test Condition 720V, 28A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 90ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AC 

Описание

IGBT 900V 51A 200W TO247AC - IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC

IGBT транзисторы IRG4PF50WD-201P

Datasheet IRG4PF50WD-201P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
IRG4PF50WD-201P
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.