Manufacturer | Infineon Technologies |
Series | - |
Packaging | Tube |
Part Status | Last Time Buy |
IGBT Type | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 57A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 114A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
Power - Max | 200W |
Switching Energy | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 167nC |
Td (on/off) @ 25°C | 32ns/845ns |
Test Condition | 960V, 33A, 5 Ohm, 15V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247AD |
IGBT 1200V 57A 200W TO247AD - IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
IGBT транзисторы IRG4PH50S-EPBF
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 654.84 р. |
10 | 588.54 р. |
100 | 482.23 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.