| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 33 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 33 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 1 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4PH50S-EPBF, IGBT 1200В 33А 1кГц ТО247АD - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG4PH50S-EPBF, IGBT 1200В 33А 1кГц ТО247АD
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 641.92 р. |
| 6 | 515.42 р. |
| 60 | 478.63 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.