| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.56V @ 15V, 10A |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 4.8nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/90ns |
| Test Condition | 600V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
IGBT CHIP WAFER - IGBT Trench 1200V 10A Surface Mount Die
IGBT транзисторы IRG7CH30K10EF
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 140.81 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.