РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG7CH37K10EF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 80568
221.65 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 15A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 80nC 
Td (on/off) @ 25°C 28ns/122ns 
Test Condition 600V, 15A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case Die 
Supplier Device Package Die 

Описание

IGBT CHIP WAFER - IGBT 1200V 15A Surface Mount Die

IGBT транзисторы IRG7CH37K10EF

Datasheet IRG7CH37K10EF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Мин. кол-воЦена
221.65 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.