РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG7CH50K10EF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 80811
434.43 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 35A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 170nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/280ns 
Test Condition 600V, 35A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case Die 
Supplier Device Package Die 

Описание

IGBT CHIP WAFER - IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die

IGBT транзисторы IRG7CH50K10EF

Datasheet IRG7CH50K10EF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
434.43 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.