РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG7CH54K10EF-R

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 81008
668.27 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 290nC 
Td (on/off) @ 25°C 75ns/305ns 
Test Condition 600V, 50A, 5 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case Die 
Supplier Device Package Die 

Описание

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE - IGBT 1200V Surface Mount Die

IGBT транзисторы IRG7CH54K10EF-R

Datasheet IRG7CH54K10EF-R (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
668.27 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.