| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG7PH28UEF, кристалл 1200В 15А - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG7PH28UEF, кристалл 1200В 15А
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 137.82 р. |
| 24 | 125.55 р. |
| 240 | 114.13 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.