РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG7PH35UD1-EP

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82422

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A 
Power - Max 179W 
Switching Energy 620µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 130nC 
Td (on/off) @ 25°C -/160ns 
Test Condition 600V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD 
Base Part Number IRG7PH35 

Описание

IGBT 1200V 50A 179W TO247 - IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD

IGBT транзисторы IRG7PH35UD1-EP

Datasheet IRG7PH35UD1-EP (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
IRG7PH35UD1-EP
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.