| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 90 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 20 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 400 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247]
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 113.92 р. |
| 5 | 1 055.39 р. |
| 50 | 1 037.51 р. |
![IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247]](https://r-ek.ru/i/p/041/300_425/17a9109575.jpg)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.