| Максимальное напряжение кэ ,В | 330 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.21 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 78 |
| Управляющее напряжение,В | 4.7 |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | для плазм |
IRG7R313UPBF, DPAK/TO252 - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG7R313UPBF, DPAK/TO252
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 115.17 р. |
| 10 | 87.41 р. |
| 50 | 71.44 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.