Максимальное напряжение кэ ,В | 330 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.21 |
Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
Мощность макс.,Вт | 78 |
Управляющее напряжение,В | 4.7 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
Корпус | DPak |
Особенности*: сфера применения | для плазм |
IRG7R313UTRLPBF, 330В 40А DPak - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG7R313UTRLPBF, 330В 40А DPak
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 181.25 р. |
21 | 138.39 р. |
210 | 128.33 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.