| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 700nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 80ns/380ns |
| Test Condition | 600V, 110A, 1 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
IGBT 1200V 110A DIE - IGBT 1200V Surface Mount Die
IGBT транзисторы IRG8CH106K10F
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.