РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG8CH137K10F

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 81269
1 579.90 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 820nC 
Td (on/off) @ 25°C 115ns/570ns 
Test Condition 600V, 150A, 2 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case Die 
Supplier Device Package Die 

Описание

IGBT CHIP WAFER - IGBT 1200V 150A Surface Mount Die

IGBT транзисторы IRG8CH137K10F

Datasheet IRG8CH137K10F (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Мин. кол-воЦена
1 579.90 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.