РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG8CH37K10F

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 80762
374.37 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 210nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/190ns 
Test Condition 600V, 35A, 5 Ohm, 15V 

Описание

IGBT 1200V 100A DIE - IGBT 1200V

IGBT транзисторы IRG8CH37K10F

Datasheet IRG8CH37K10F (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Мин. кол-воЦена
374.37 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.