РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG8P25N120KDPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82489

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A 
Power - Max 180W 
Switching Energy 800µJ (on), 900µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 135nC 
Td (on/off) @ 25°C 20ns/170ns 
Test Condition 600V, 15A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 70ns 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AC 

Описание

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC - IGBT 1200V 40A 180W Through Hole TO-247AC

IGBT транзисторы IRG8P25N120KDPBF

Datasheet IRG8P25N120KDPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
IRG8P25N120KDPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.