РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRG8P50N120KD-EPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82497

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 80A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A 
Power - Max 350W 
Switching Energy 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 315nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/190ns 
Test Condition 600V, 35A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 170ns 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD 

Описание

IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD - IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AD

IGBT транзисторы IRG8P50N120KD-EPBF

Datasheet IRG8P50N120KD-EPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Цена доступна по запросу
IRG8P50N120KD-EPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.